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產品中心

PRODUCT CENTER


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Thetametrisis膜厚儀FR-Mic 微米級薄膜表征

Thetametrisis膜厚儀FR-Mic 微米級薄膜表征

       膜厚儀FR-Mic是一款快 速、準確測量薄膜表征應用的模塊化解決方案,要求的光斑尺寸小到幾個微米,如微圖案表面,粗糙表面及許多其他表面。它可以配備一臺專用計算機控 制的XY工作臺,使其快 速、方便和準確地描繪樣品的厚度和光學特性圖。品牌屬于Thetametrisis。

Thetametrisis膜厚儀

       Thetametrisis利用 FR-Mic,通過紫外/ 可見/ 近紅外可輕易對局部區域薄膜厚度,厚度映射,光學常數,反射率,折射率及消光系數進行測量。

【相關應用】

  • 高校 & 研究所實驗室
  • 半導體制造
  • (氧化物/氮化物, 硅膜, 光刻膠及其他半導體薄膜.)
  • MEMS 器件 (光刻膠, 硅膜等.)
  • LEDs, VCSELs
  • 數據存儲
  • 陽極處理
  • 曲面基底的硬鍍及軟鍍
  • 聚合物膜層, 粘合劑.
  • 生 物醫學(聚對二甲苯, 生 物膜/氣泡壁厚度.)
  • 還有許多…

【特點】

  • 實時光譜測量
  • 薄膜厚度,光學特性,非均勻性測量, 厚度映射
  • 使用集成的,USB連接高品質彩色攝像機進行成像

Thetametrisis膜厚儀FR-Mic軟件界面.jpg

【產品優勢】

  • 單擊即可分析 (無需初始預測)
  • 動態測量
  • 包含光學參數 (n & k, color)
  • 可保存測量演示視頻錄像
  • 超過 600 種不同材料o 多個離線分析配套裝置o 免費操作軟件升級

【技術參數】

型號

UV/VIS

UV/NIR-EXT

UV/NIR-HR

DUV/NIR

VIS/NIR

DVIS/NIR

NIR

光譜波長范圍(nm)

200–850

200–1020

200-1100

200–1700

370–1020

370–1700

900–1700

光譜儀像素

3648

3648

3648

3648&512

3648

3648&512

512

膜厚測量范圍

5X-VIS/NIR

15nm–60μm

15nm–70μm

15nm–90μm

15nm–150μm

15nm–90μm

15nm–150μm

100nm–150μm

10X-VIS/NIR

10X-UV/NIR*

4nm–50μm

4nm–60μm

4nm–80μm

4nm–130μm

15nm–80μm

15nm–130μm

100nm–130μm

15X-UV/NIR*

4nm–40μm

4nm–50μm

4nm–50μm

4nm–120μm

20X-VIS/NIR

20X-UV/NIR*

4nm–25μm

4nm–30μm

4nm–30μm

4nm–50μm

15nm–30μm

15nm–50μm

100nm–50μm

40X-UV/NIR*

4nm–4μm

4nm–4μm

4nm–5μm

4nm–6μm

50X-VIS/NIR

15nm–5μm

15nm–5μm

100nm–5μm

測量n&k蕞小厚度

50nm

50nm

50nm

50nm

100nm

100nm

500nm

光源

氘燈&鹵素燈(internal)

鹵素燈(internal)

材料數據庫

>600不同材料

*測量面積(收集反射或透射信號的面積)與顯微鏡物鏡和 FR-uProbe 的孔徑大小有關。

物鏡

光斑尺寸(μm)

500μm孔徑

250μm孔徑

100μm孔徑

5x

100μm

50μm

20μm

10x

50μm

25μm

10μm

20x

25μm

17μm

5μm

50x

10μm

5μm

2μm

【工作原理】


Thetametrisis膜厚儀FR-Mic工作原理.jpg


       *規格如有更改,恕不另行通知, 測量結果與校準的光譜橢偏儀和 XRD 相比較, 連續 15 天測量的標準方差平均值。樣品:1um SiO2 on Si., 100 次厚度測量的標準方差,樣品:1um SiO2 on Si.

       *超過 15 天的標準偏差日平均值樣品:1um SiO2 on Si。

       以上資料來自Thetametrisis,如果有需要更加詳細的信息,請聯系我們獲取。

未經許可不得復制、轉載或摘編,違者必究!

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